안녕하세요, 현재 반도체 회사에서 근무 중입니다.

관리하는 설비 중 Decoupled Plasma를 사용하는 설비가 있습니다.

ICP Type의 설비이고 ESC Chuck은 사용하지않습니다.

pulsed rf power를 사용하는 설비인데, 여기서 decoupled plasma의 개념에 대해 궁금해서 질문남깁니다.

 

질문) Decoupled Plasma는 ion density와 ion energy를 분리한다는 의미인데 rf power의 상승에 따라 ion density는 상승하지만 ion energy는 낮은 상태를 유지하는 Mechanism이 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
249 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1174
248 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1171
247 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1167
246 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1162
245 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1157
244 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1156
243 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1156
242 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1156
241 공정플라즈마 [1] 1145
240 Group Delay 문의드립니다. [1] 1144
239 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
238 자기 거울에 관하여 1138
237 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1132
236 wafer bias [1] 1129
235 전자 온도 구하기 [1] file 1129
234 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
233 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1117
232 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1116
231 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1112
230 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1112

Boards


XE Login