Matcher 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항

2004.06.21 15:35

관리자 조회 수:27617 추천:286

질문 ::

플라즈마의 에너지원으로 주로 RF POWER를 사용하죠.
그런데, CHAMBER 전체의 임피던스와 RF GENERATOR의 출력
임피던스를 사이의 MATCHING을 RF MATCHER를 통해 REFLECT
POWER의 발생없이 CHAMBER의 CATHODE나 ANODE로 에너지
공급토록 하는 역할이 바로 RF MATCHER의 존재목적이 아닌가
싶습니다.
  여기서 제가 궁금한 사항은 가끔 MATCHING이 우리가 원하는 SPEC
대로 정합이 되지는 않죠. 즉,REFLECT POWER(반사파)발생이 커지
기도 하는데요..  이것이 특히 DRY ETCHING장치에서 PARTICLE이슈
와 관련하여 연관성이 있다고 볼 수 있을지요...
즉, REFLECT가 커지면 실제 플라즈마 상태가 불안정 상태를 의미하는
지요...  PARTICLE과 연관지어 이론적 설명을 부탁드립니다..

답변 ::

본란에서 matching system에 관한 설명을 이미 드린 적이 있으니 참고하기 바랍니다.
두번째 질문인 particle과 matching system과의 관계는 저희도 잘 알고 있지 못한 내용입니다.
구체적으로 얼마나 심각한 영향을 줄 것 인가를 예상하기가 어렵습니다. 당연히 안테나 앞의 quartz의
두께가 식각 장비에서 바뀌게 되면 이값은 matching에고 영향을 주게 될 것 입니다. 하지만 particle의
생성은 어떤 영향을 줄 것인가에 대한 연구가 많이 진행되어 있지는 않는 것 같습니다. 이유는 particle의
정도가 얼마나 심각한 가에 따라 다르겠지요. 아무튼 깊이 고려해 볼 문제 입니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92277
246 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24334
245 Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? 15885
244 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15803
243 remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] 22118
242 cross section 질문 [1] 19712
241 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29262
240 RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] 17696
239 ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] 21191
238 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24747
237 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22695
236 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19836
235 상압 플라즈마 방전에 관한 문의 [1] 20311
234 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31666
233 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 24309
232 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23332
231 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22943
230 대기압 플라즈마 40706

Boards


XE Login