Others plasma cleanning에 관하여....
2004.06.21 15:39
질문 ::
안녕하세요.
여기에 자주 들러 정보를 많은것을 배우고 있읍니다.
evaporation증착설비를 운영하고 있는데,저진공에서 plasma cleanning이라는 공정을 거칩니다.질소개스를 사용합니다.
plasma cleanning을 하는데 있어 원리와 보다 완벽한 cleanning을 하기위한 도움이 될만한 사항을 얻고자 문의를 드립니다.
더운데 수고하시고,건강하세요.
답변 ::
플라즈마를 이용한 cleaning에는 두가지 방법이 쓰입니다.
하나는 물리적인 방법이며 다른 하나는 화학적인 방법입니다. 여기서 물리적인 방법은 sputtering 효과에 의해서
이뤄지는 cleaning이라 할 수 있으며 화학적인 방법은 화학반응 즉 etching 과 같은 효과에서 이뤄지는 것 입니다
따라서 쓰던 반응기내의 잔유 물질이 무엇인가에 따라서 사용하는 개스를 잘 선택할 필요가 있습니다.
예를 들어서 폴리머등의 잔유물에는 산소 플라즈마를 사용하곤 합니다.
물리적인 cleaning 방법에서 중요한 것은 벽으로 나가는 이온의 에너지 입니다. 이 에너지는 벽에 형성되는 쉬스
전위 차에 의해서 생기게 됩니다. 즉 그 값은 플라즈마 전위와 벽 전위 혹은 접지 전위와의 차이 값에 해당합니다.
이 값이 클 수록 에너지가 높은 이온이 벽으로 인가되고 이들이 벽에 남아있는 잔유물에 recoling 에너지를 주어서
벽으로 부터 떨어져 나오게 될 것 입니다. 물론 플라즈마의 밀도가 높을 수록 좋겠지요. 아울러
무거운 입자들이 유효합니다. 따라서 argon등의 개스가 선호되기도 합니다. 아울러 나머지 화학적인
성질이 매우 중요하게 됨을 고려하여 쓰시는 반응기에서 최적의 조건을 찾으시기
바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76685 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57159 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68680 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92207 |
227 | 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] | 16648 |
226 | nodule의 형성원인 | 16753 |
225 | sputter | 16844 |
224 | Virtual Matchng | 16852 |
223 | ICP 식각에 대하여... | 16913 |
222 | ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. | 16923 |
221 | 플라즈마 처리 | 16930 |
220 | 형광등으로 부터 플라즈마의 이해 | 17000 |
219 | RF에 대하여,, | 17037 |
218 | PSM을 이용한 Radical측정 방법 | 17068 |
217 | Light flower bulb | 17079 |
216 | 플라즈마를 이용한 발광시스템에 관한 연구 | 17087 |
215 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17191 |
214 | Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. | 17331 |
213 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 17416 |
212 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17430 |
211 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17510 |
210 | 유전체 플라즈마 | 17554 |
209 | 불꽃이 쫒아오는 이유 | 17619 |
208 | 플라즈마와 자기장의 상호작용 | 17625 |