Others CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유
2004.06.19 16:48
질문 ::
일반적으로 CCP의 Vp(Plasma potential)는 수백에서 1000V가량 되는걸로 알고 있습니다. ICP의 Vp는 전반적으로 낮은 값을 갖는데요 저희 장비는 보통 20-30V정도 밖에 되지 않습니다. ICP의 장점중 하나가 바로 낮은 Vp값을 갖는다는것인데요. 이처럼 CCP의 Vp가 ICP에 비해 높은 이유가 뭔지 궁금합니다. 참고로 전 CCP의 간단한 구조와 원리밖에 모르고 있습니다. 저희 장비가 TCP인 관계로...
그럼 염치 불구하고 연이은 질문에 좋은 답변 기대하겠습니다.
항상 몸 건강하시길 빌겠습니다.
===========================================================================
ICP/CCP에서의 플라즈마 발생에 관한 설명 자료가 복원될 것 입니다. 이를 참고하시면 될 것입니다.
그때까지 다음 사항을 잘 고려해 보기 바랍니다. CCP의 전극은 플라즈마와 직접 만나고 있습니다.
혹은 두 전극 사이에 형성되는 전기장이 플라즈마를 만들고 있습니다. ICP의 경우는 안테나가
플라즈마와 직접 만나지 않고, 유도 전기장으로 플라즈마가 형성됩니다. 또한 플라즈마가 만들어지기
위해서는 breakdown voltage를 줄 수 있는 전기장이 어떤 방법으로든 형성되어야 할 것입니다. 이로
인해서 CCP는 ICP에 비해서 높은 공간 전위를 갖게 됩니다. 하지만 언급한 정도의 수백에서 수천 Volt의
플라즈마 전위를 갖지는 않습니다. ICP보다 제대로 만들어진 CCP 플라즈마의 경우는 ICP에 비해서 약간
높을 뿐입니다.
위 사항을 잘 참고하여 현상을 이해해 보기 바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76683 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57156 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68676 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92193 |
227 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1099 |
226 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1086 |
225 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1073 |
224 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1068 |
223 | 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] | 1062 |
222 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1055 |
221 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1055 |
220 | HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] | 1052 |
219 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1047 |
218 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1046 |
217 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1045 |
216 | Plasma Arching [1] | 1039 |
215 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
214 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1036 |
213 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1029 |
212 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1028 |
211 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1020 |
210 | langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] | 1012 |
209 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |
208 | 고진공 만드는방법. [1] | 1006 |