Etch Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법

2022.01.03 21:59

각식식건 조회 수:956

안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74892
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18750
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56229
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66711
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88080
158 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 873
157 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 873
156 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 860
155 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 857
154 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 855
153 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 854
152 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 847
151 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 838
150 Plasma Generator 관련해서요. [1] 837
149 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 832
148 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 832
147 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 814
146 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 809
145 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 805
144 전자 온도 구하기 [1] file 802
143 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 799
142 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 798
141 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 795
140 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 789
139 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 788
쓰기
태그

Boards

XE Login