Others 반응기의 면적에 대한 질문
2004.06.25 12:57
=======================<질문>=============================
안녕하세요..
먼저 바쁘신 연구활동 중에 일일이 답변해 주심을 진심으로 감사드리며,
업무에 큰 도움 되고 있음을 다시하번 감사드립니다.
저의 짧은 지식이라 몇가지 조언을 부탁드립니다.
pvd공정에서 cathode와 anode의 물리적인 면적의 적정값을
알고 싶어 글어 올립니다.(rf power 사용시)
소멸되지 못한 전자들이 장비의 노이즈 발생등의 영향을
주는 것으로 알고 있습니다.
이 부분을 공부할수 있는 책의 소개도 감사하겠습니다.
감사합니다.
=======================<답변>==============================
PVD공정에 국한해서 설명드리기는 어렵고
Cathode와 Anode 전극의 면적에 따른 전극 앞에서의 전압강하크기는
면적의 크기에 반비례하게 되는데 대략 관련식은 다음과 같습니다.
Va/Vc = (Ac/Aa)^b 여기서 a와c는 양전극 및 음전극을 의미합니다.
중요한 인자는 b인데 이 크기는 이상적인 조건에서는 약 4 정도 되며
일반적인 반응기에서는 1-2.5의 값을 갖습니다. 따라서 대략 면적에 반비례해서 전극 앞에서 형성되는 쉬스 전위의 크기가 변한다고 생각하면
되며 이 전위크기는 입사되는 이온의 에너지를 정의함으로 전위값이
크면 표면에 에너지가 높은 이온이 입사된다는 것을 고려해서 반응기를
설계하거나 process를 진행하면 됩니다. 참고로 1-2.5의 값은 플라즈마의
충돌성을 고려한 값이니 높은 압력의 운전에서도 적용 가능합니다.
관련되는 내용은 Libermann (princeples of plasma discharges and materials processing: p371)/ Sugawara (Plasma Etching: Fundamentals and applications: p 201)을 참고하기 바랍니다.
첨부: RF 장비의 운전에서 중요한 것 중의 하나는 장비의 접지 상태입니다. DC 접지에 비해서 수십배 이상 까다로운 것이 RF 접지이니
이점을 유념하면 noise를 제거할 수 있을 것입니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76728 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20190 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92278 |
229 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1104 |
228 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 1087 |
227 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1081 |
226 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 1071 |
225 | 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] | 1065 |
224 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1061 |
223 | HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] | 1056 |
222 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1056 |
221 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1056 |
220 | Plasma Arching [1] | 1051 |
219 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
218 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1045 |
217 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1038 |
216 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
215 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
214 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1028 |
213 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1021 |
212 | langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] | 1016 |
211 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |
210 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1010 |