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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69626
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94422
129 N2, N2O Gas 사용시 Plasma 차이점 [N2 Plasma] [1] 1658
128 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [Plasma information과 monitoring] [1] file 661
127 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 941
126 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [Atmostpheric pressure plasma jet] [1] 1032
125 plasma 형성 관계 [Paschen's law, 플라즈마 주파수] [1] 1706
124 ICP 대기압 플라즈마 분석 [Collisional plasma, LTE 모델] [1] 795
123 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2553
122 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 3743
121 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [TC gauge 동작 원리] [1] 962
120 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2444
119 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1130
118 라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수] [1] 909
117 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 1661
116 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3388
115 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1115
114 플라즈마 챔버 [화학반응 및 내열조건] [2] 1383
113 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [Faraday shield] [1] 1755
112 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다. [He 혼합비와 플라즈마 밀도] [1] 1558
111 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [플라즈마 내 전자 축적] [1] 1539
110 ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [ECRiS] [2] 883

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