Etch etching에 관한 질문입니다.
2018.08.14 14:59
안녕하세요. 반도체취업을 준비하고있는 취준생입니다. 실험도중 궁금증이 생겨 질문드립니다.
가스의 유량을 달리하여 etch rate를 비교하기 위한 실험을 했습니다.
ethcant gas인 ch4는 고정시키고
Ar가스를 30sccm 그리고 60sccm 이렇게 두가지 실험을 하였습니다.
질문1. 60sccm이 더 깊게 에칭되는것을 기대하였는데 오히려 덜 에칭되었습니다. 이유가 무엇인가요?
질문2. Ar가스 유량을 늘리는것이 etch속도가 빨라지는것은 맞나요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
142 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17707 |
141 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17333 |
140 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17190 |
139 | 플라즈마 처리 | 16925 |
138 | ICP 식각에 대하여... | 16904 |
137 | sputter | 16840 |
136 | nodule의 형성원인 | 16743 |
135 | 몇가지 질문있습니다 | 16577 |
134 | Sputter | 15866 |
133 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15789 |
132 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15638 |
131 | 박막 형성 | 15296 |
130 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15052 |
129 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14730 |
128 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12432 |
127 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11293 |
126 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10280 |
125 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9497 |
124 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9259 |
123 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8559 |
알곤 플라즈마는 플라즈마 생성에 매우 유리한 가스입니다. 즉, ionization 경로가 direct ionization (15.75 eV)과 더 많은 확률을 가진 step ionization이 존재하기 때문인데, 후자는 Ar*을 경유하는 이온화 경로를 갖습니다. 즉, 불활성 가스들은 대부분 여기상태가 안정적인 준 안정상태(meta stable: 11.5 eV 근방) 입자들로 많은 수가 존재하고, 이들이 다시 전자 충돌 등으로 이온화가 되는 과정인데, 여기상태의 아르곤은 4.2 eV정도의 에너지만 받아도 이온화되어 플라즈마 상태를 수월하게 유지시킬 수 있는 특징이 있습니다. 따라서 아르곤 플라즈마는 공간내에 metastable의 밀도가 높아질 수로고 플라즈마가 잘 만들어 짐을 알 수 있는데, 준 안정입자들은 중성상태의 가스 를 따라서 생성되고 배기되므로, 반응기 공간 내, 즉 전자가속이 일어나는 공간에 적은 시간 머물게 되면, 즉 빠르게 배기되게 되면, sccm이 높으면 여기된 알곤 입자들이 빨리 빠져나가고 새로운 Ar 입자들이 많아질 확률이 커지므로 (운전 압력을 고정시켜 놓고 가스 flow rate 을 키운 경우) 실제 식각 플라즈마의 이온의 밀도는 떨어지고 ER이 오히려 떨어지게 됩니다. 만일 SCCM에 따라서 압력이 같이 높아졌다면 일정부분 ER이 커질 것이나, 너무 높아져서 ionization mean free path가 줄어 든다면 이 경로에서 전자가 얻는 에너지가 줄어들게 되므로, 역시 이온화가 덜 일어나게 되므로 운전 압력이 특정 (장비 구조의 함수) 값에서 비례해서 커지다가 다시 줄어드는 경향을 갖게 됩니다. 본 게시판에서 충돌현상/ 이온화 과정에 대해서 좀 더 살펴 보시면 좋을 것 같습니다.