Deposition Pecvd 장비 공정 질문
2018.12.17 22:52
.반도체회사에서 pecvd 담당하고 있는 초보인데요. 궁금한게 몇개 있어 물어보겠습니다.
1. pecvd 증착 후 wafer edge에 많은 defect을 해결하는 방법 (center는 깨끗함, edge에만 defect이 수없이 많음)
2. pecvd deposition 중 reflected power가 팅기는 현상으로 인해 두께가 낮아지거나 높아지는 현상이 있나요? 있다면 해결방법 알려주세요.
3. 한번 공정할때 wafer가 5장이 들어가는데 최대한 두께가 균일하게 증착할 방법이 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75427 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19163 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56479 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67558 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89368 |
| 132 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17456 |
| 131 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17144 |
| 130 | 플라즈마 처리 | 16882 |
| 129 | ICP 식각에 대하여... | 16828 |
| 128 | sputter | 16800 |
| 127 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 16774 |
| 126 | nodule의 형성원인 | 16664 |
| 125 | 몇가지 질문있습니다 | 16557 |
| 124 | Sputter | 15777 |
| 123 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15723 |
| 122 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15584 |
| 121 | 박막 형성 | 15247 |
| 120 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 14989 |
| 119 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14703 |
| 118 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12040 |
| 117 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 10529 |
| 116 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10156 |
| 115 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9360 |
| 114 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9208 |
| 113 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8361 |
자세한 상황을 알 수가 없으나 particle 이슈가 아닐까 합니다. 플라즈마 쪽에서는 dusty plasma라 하여 연구가 되는 분야이며, 이에 대해서는 최근 연구성과를 발표하고 있는 원자력 연구소의 채길병박사님께 문의하시면 좋을 정보를 얻을 수 있을 것 같습니다.
또한 박막 공정에서 벽면에서 발생되는 particle 제어는 장비 마다, 또한 공정 마다 다름으로 매우 제한적이니, 참고하시고 벽면의 세정과 해당 공정에서의 세정에 대한 정보를 수집해 가면서 최적 공정을 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.