Others 고온 플라즈마 관련
2012.06.04 11:49
안녕하세요?
배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,
그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.
혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?
만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을
연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?
빠른 답변이면 감사하겠습니다.댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [98] | 3623 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 15307 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 50563 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 62968 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] | 81976 |
104 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 973 |
103 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1003 |
102 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1020 |
101 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 1058 |
100 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 1130 |
99 | Ar plasma power/time [1] | 1172 |
98 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1187 |
97 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
![]() | 1207 |
96 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 1323 |
95 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1357 |
94 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 1396 |
93 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1433 |
92 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1439 |
91 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 1483 |
90 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 1494 |
89 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 1504 |
88 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 1733 |
87 | sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] | 1872 |
86 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 1969 |
85 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 1994 |