아래 그림과 같이 SiN위에 poly 식각을 하려 합니다.

poly 주변에는 산화막이 형성되어있는 상태입니다.

바닥 poly의 damage는 줄이면서 상단 poly만 제거하고 싶은데

효과적인 방법이 있을까요? 조언 부탁드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
143 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692
142 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 718
141 ICP 후 변색 질문 722
140 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 725
139 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 745
138 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 835
137 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 856
136 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 860
135 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 878
134 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 950
133 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 964
132 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1026
131 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1045
130 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1063
129 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1072
128 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1078
127 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1088
126 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1107
125 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1133
124 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1141

Boards


XE Login