Etch 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
2017.09.09 21:02
안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.
몇가지 질문 드리려 가입했습니다.
1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)
2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.
답변 달아주시면 감사하겠습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
142 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17707 |
141 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17333 |
140 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17190 |
139 | 플라즈마 처리 | 16925 |
138 | ICP 식각에 대하여... | 16904 |
137 | sputter | 16840 |
136 | nodule의 형성원인 | 16743 |
135 | 몇가지 질문있습니다 | 16577 |
134 | Sputter | 15866 |
133 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15789 |
132 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15638 |
131 | 박막 형성 | 15296 |
130 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15052 |
129 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14730 |
128 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12432 |
127 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11293 |
126 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10280 |
125 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9497 |
124 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9259 |
123 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8559 |