Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요

2010.01.20 17:55

송기철 조회 수:23758 추천:200

안녕하세요.

N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.

10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.

그 이유를 자세히 알고 싶은데요.

빠른 답변좀 부탁 드릴께요.

예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로

생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
27 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1156
26 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
25 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1120
24 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1056
23 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1056
22 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1010
21 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 980
20 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 843
19 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 749
18 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 669
17 Polymer Temp Etch [1] 662
16 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 614
15 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 604
14 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 545
13 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 486
12 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 470
11 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 394
10 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 386
9 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 366
8 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354
쓰기
태그

Boards

XE Login