안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데

여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다

정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?

기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.

부탁드립니다!! 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92262
748 플라즈마 온도 27778
747 DBD란 27719
746 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27612
745 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27208
744 이온과 라디칼의 농도 file 26993
743 self bias (rf 전압 강하) 26708
742 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26466
741 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26182
740 충돌단면적에 관하여 [2] 26158
739 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26111
738 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25581
737 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24986
736 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24871
735 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24849
734 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24772
733 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24747
732 plasma와 arc의 차이는? 24654
731 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24643
730 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24572
729 플라즈마가 불안정한대요.. 24516

Boards


XE Login