안녕하세요 교수님, 석사과정을 진행중인 학생입니다. 

RIE에 대하여 공부하다 해결되지 않는 사항이 있어 질문드리고자 합니다.

ion theath thickness와 MFP와의 관계에 따라 ion directionality가 달라지고, ARDE가 발생하게 된다는 것 까진 학습하였습니다.(차일드-랭뮤어의 식)


1. Ion의 mass에 따라 sheath thickness가 변하는데, sheath thickness가 ion 가속, MFP, Vdc(self bias)에 끼치는 영향이 있는지 여쭙고자 합니다.
(Ion mass --> sheath thickness변화 ==> ion 가속영향? / MFP 영향? / Vdc 영향?..아니면 그 자체로는 다른 parameter에 영향이 없는지..)


2. RIE에서 wafer(electrode)의 open area의 경우, ion flux와 electron flux가 같다고 학습하였습니다.

이때 gas를 바꾸었을 때 ion의 mass가 바뀌었을 때,(ex, F --> Br) ion flux가 동일한지, 그렇다면 동일 flux이므로 wafer incident ion energy는 mass가 증가한 만큼 증가하게 되는지, electron의 energy가 ion의 mass나 이온화E에 영향이 있는지 여쭙고자 합니다. (속도가 동일하므로, mass증가에 따라 ion의 kinetic E 증가하는지...)


조금 두서없이 썼지만, 공부하는 중 해결이 잘 되지않아 교수님께 질문드리고자 합니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48629
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 50106
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 55152
523 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 534
522 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 230
521 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 676
520 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 583
519 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 247
518 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 11938
517 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 330
516 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 797
515 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 188
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 679
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 225
512 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 182
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [2] 2599
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 293
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 529
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 436
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 352
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 632
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 205
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 413

Boards


XE Login