안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
743 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 287
742 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 496
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 380
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 455
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 641
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 441
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 395
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 300
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 333
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 526
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 231
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 337
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 209
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 577
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 444
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 312
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 421
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 338
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 650
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 552

Boards


XE Login