안녕하십니까 교수님. 반도체 장비회사에서 공정개발 직무를 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 플라즈마 식각기술 책을 읽는 와중에 궁금한 점이 생겨 이렇게 질문을 남깁니다.

 

책에서 접지된 전극에 기판을 놓을 경우 Radical에 의한 반응이 반응성 이온의 영향보다 크게 되고,

고주파 전극에 기판을 놓게 되면 반대로 되어 이방성이 커진다고 하는데 

 

집지된 전극에 기판을 놓을 경우 왜 Radical 반응이 주가 되는 건가요?

접지라는 것이 이 구조에서 어떻게 영향을 끼치는 것인지 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 312
743 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 285
742 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 495
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 379
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 397
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 638
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 440
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 394
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 298
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 331
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 525
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 231
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 337
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 209
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 576
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 437
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 312
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 419
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 337
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 649

Boards


XE Login