안녕하십니까 교수님 항상 성심성의것 답변해 주신것 감사합니다.

 

저는 CCP plasma를 다루는 반도체 장비 회사를 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 여러가지 조건으로 Split test를 하는 와중에 샤워헤드와 척 사이의 갭을 늘렸더니 

 

플라즈마가 켜졌을 때 Matcher의 Vrms가 초반 몇 초 동안 급격히 상승하는 현상이 발생했습니다.

 

운이 없었다면 아킹이 발생하고 웨이퍼가 깨졌을 수도 있었던 상황이라 생각합니다.

 

 

이런 상황에서 pressure를 낮췄을 때는 Gap을 늘려도 상대적으로 안정해지는 경향이 파악 되었습니다.

 

왜 Gap이 커지면 불안정해지고, 여기서 Pressure를 낮추면 Gap이 커져도 상대적으로 안정해 지는 걸까요??

 

감사합니다~!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16912
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64223
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84301
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 787
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 466
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 326
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 449
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3270
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 555
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 700
645 plasma 형성 관계 [1] 744
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 1140
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 2716
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4055
641 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 515
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 645
639 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 736
638 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3512
637 RF 전압과 압력의 영향? [1] 825
636 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 624
635 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 670
634 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 651
633 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 432

Boards


XE Login