안녕하세요. 반도체분야 종사자 입니다.

인터넷을 뒤적거리며 정리되지 않은 지식들을 잘 정리해 주심에 항상 감사드립니다.

 

CCP 타입의 챔버이며 현상을 말씀 드리면

 

현상 )

공정 압력(2T -> 5T)이 증가하면서 Vrms, Irms가 모두 낮아지고 전압과 전류의 위상차가 -70에서 -60으로 변하였습니다.

 

위 현상을 해석하려고 아래의 가설을 세웠는데

 

가설1 ) Irms가 낮아진 이유 : 압력이 증가하면서 전자의 MFP가 감소 -> 전자가 충분한 에너지를 얻지 못하고 기체와 충돌 -> 전자 에너지 감소 -> 전자 온도 감소 -> 이온화율 감소 -> 플라즈마 밀도 감소 -> Irms 감소

 

디바이 차폐 길이의 공식은 전자 온도와 플라즈마 밀도의 함수로 나타낼 수 있어서 서로 독립적인 변수인줄 알았습니다.

가설1 의 경우 전자의 온도 감소가 플라즈마 밀도의 감소로 이어지는데

 

 

질문 1> 그렇다면 전자 온도와 플라즈마 밀도는 완전히 독립적인건 아니고 어느정도는 종속되어 있다고 봐도 되는 건가요? 혹시 그게 아니라면 가설1 의 어느 부분에 오류가 있을까요?

 

=========================================================================================

 

가설2 ) 위상차가 -70에서 -60으로 변한 이유 : 압력이 증가하면서 전자의 온도 감소 -> 쉬스의 길이와 디바이 차폐 길이는 서로 비례 -> 디바이 차폐 길이는 전자 온도와 비례(?) -> Sheath 길이 감소(?) -> 챔버 내 Cap 성분 증가(?)

 

위상차가 + 방향으로 움직였다는건 Capacitor 성분이 감소했기 때문일텐데 위 가설에선 정 반대의 결과가 도출됩니다.

조금 더 인터넷을 찾아 보니 C-L 쉬스의 크기에 대한 공식을 찾았습니다.

 

sqrt(2)/3*l_ds*(2*Vb/Te)^(3/4)

(l_ds : 디바이 차폐 길이 , Vb : 바이어스 전위 , Te : 전자 온도)

 

해당 식을 보면 디바이 차폐 길이와 쉬스 길이는 서로 비례하지만

디바이 차폐 길이는 Te^(1/2) 에 비례하고

해당 식의 Te^(-3/4) 항에 의해서

 

 

질문2> 쉬스 길이는 Te^(1/4) 에 반비례 한다고 봐도 될까요? 위 가설에서 Sheath의 길이가 증가하여 챔버 내의 Cap 성분이 감소했다고 해석하면 될까요?

 

항상 많은 도움 얻어갑니다. 긴 글 읽어주셔서 감사합니다!

새해 복 많이 받으세요!!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 312
743 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 285
742 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 495
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 379
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 395
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 638
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 440
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 394
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 298
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 331
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 525
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 231
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 337
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 209
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 576
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 436
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 312
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 419
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 337
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 649

Boards


XE Login