LCD 장비 업체에 근무하는 김기권이라고 합니다.
HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) Source/Drain 공정에서만 발생하고 있습니다 , 발생 시점 은 Plasma On 후 15~20sec 후 (Ti Etching 완료되고, Al 막이 전면적으로 나타난 시점)
증상은  HVDC current '0" , DC Bias 상승 (최대치인 100V 까지), 동시에 Bias Reflect (전반사 - 미세한 Refect가 아니라, 전면적인 반전)

2. 조치 사항    
    1) HVDC Swap - 변화 없음
    2) ESC Filter Swap - "    
    3) RF Matcher Swap - "
    4) ESC 교체 - 일시적 개선되나, 시간을 두고 다시 재발

장비에 문제 인지 ESC 에 문제인지 파악이 안되고 있습니다.

많은 도움 부탁드립니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76683
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57155
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68676
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92189
747 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 304
746 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 309
745 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 313
744 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 314
743 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 317
742 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 319
741 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 324
740 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 340
739 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 341
738 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 346
737 standing wave effect, skin effect 원리 [1] 348
736 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [1] 348
735 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
734 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 354
733 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 363
732 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 369
731 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 373
730 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 384
729 plasma modeling 관련 질문 [1] 386
728 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 387

Boards


XE Login