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공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2246
26 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2295
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2386
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2602
23 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2662
22 PR wafer seasoning [1] 2694
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2849
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 2923
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2933
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3490
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4241
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5183
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5420
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6381
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9497
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12432
8 ICP 식각에 대하여... 16904

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