Etch 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량

2023.02.09 13:21

텅스텐 조회 수:364

안녕하세요. 반도체 회사 재직중인 설비엔지니어입니다.

 

텅스텐 DEPO 설비 유지보수 중에 RF Plasma를 통한 텅스텐 Cleaning에 문제점이 생겨 조언을 얻고자 질문드립니다.

 

텅스텐 Plasma Clean 조건

2100W Generator Power / C2F6 : O2 (1:1 비율) / 300mTorr Chamber Pressure / 13.56MHZ Matcher

 

Plasma Cleaning 진행 중 깜빡깜빡이는 현상이 확인되며 PM을 하고자 Chamer Open 했을 때

텅스텐이 Etching 되지 않고 Heater 및 Shower Head에 텅스텐이 그대로 남아있는 현상이 발생했습니다.

 

관련하여 챔버에 압력/Clean gas/RF 계통의 Part들을 교체해 보고 있으나 현상이 개선되지 않아

플라즈마 깜빡깜빡이는 현상이 Etching 효율을 떨어뜨리는 걸로 보이는데 문제점이 무엇일지 조언 받고싶습니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76713
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92270
27 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2313
26 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2450
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2629
23 PR wafer seasoning [1] 2701
22 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2739
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2870
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 2962
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2966
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3524
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4267
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5265
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5452
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5836
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6244
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6564
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9506
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12480
8 ICP 식각에 대하여... 16914
쓰기
태그

Boards

XE Login