현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.

 

현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.

 

무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.

 

1. Source , Bia Power 하향

  → Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)

2. CF4 유량비 상향

  → O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다

     (But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)

3. 압력에 대한영향성?

  → 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..

4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.

 

이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.

 

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [110] 4863
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16201
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51246
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63740
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83488
636 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 361
635 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 372
634 핵융합 질문 [1] 377
633 코로나 방전 처리 장비 문의드립니다. [1] 378
632 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 380
631 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 380
630 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 382
629 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 386
628 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 390
627 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 396
626 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 398
» ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 401
624 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 403
623 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 405
622 라디컬의 재결합 방지 [1] 408
621 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 411
620 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 411
619 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 412
618 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 418
617 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 419

Boards


XE Login