Sputtering Ar plasma power/time
2016.07.26 10:23
안녕하세요
반도체 Assembly회사에 재직중인 엔지니어 입니다.
assembly회사에서 sputtering을 통해 package위에 박막 증착을 하는 공정을 맡고 있는데요
Polymer계열의 packaging material위에 박막 접착력을 증가시키기 위해서 실험을 해보았는데요
CCP-RIE 타입 RF PLASMA로 Ar gas 만을 사용하여 power는 500/1000/2000W 시간은 각각의 파워에 120/240/360/480sec, pressure는 전부 8mTorr로 적용하였습니다.
파워를 높일수록 roughness가 증가하여 접착력이 좋아진다고 생각하였는데 결과는 시간은 거의 상관없이 500W>1000W>2000W로 나왔습니다
AFM같은 장비로 표면분석을 해봤으면 좋겠는데 해당 장비가 없고 외부에 의뢰하여 측정해야 하고 제약이 많이 따라서
상기와 같은 현상을 이론적으로 어떻게 설명 가능한지 여쭙고 싶습니다
접착력 테스트는 Tape test라고 ASTM D3359-09 방법과 같이 칼로 polymer위에 depo된 박막을 crosshatch하고 tape을 붙여서 떼는 방법입니다.
말씀드린 정보로 결론을 도출하기에 어려운 부분이 있을수도 있지만 혹시 실험하실때에 경험하셨거나 이론적인 부분에 대해서 알고계시다면 조언 부탁 드리겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76685 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57159 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68680 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92216 |
142 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17773 |
141 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17430 |
140 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17191 |
139 | 플라즈마 처리 | 16930 |
138 | ICP 식각에 대하여... | 16913 |
137 | sputter | 16844 |
136 | nodule의 형성원인 | 16753 |
135 | 몇가지 질문있습니다 | 16578 |
134 | Sputter | 15879 |
133 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15801 |
132 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15644 |
131 | 박막 형성 | 15299 |
130 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15052 |
129 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14732 |
128 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12472 |
127 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11387 |
126 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10295 |
125 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9504 |
124 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9261 |
123 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8589 |