Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.
2004.06.25 16:44
te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.
저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.
저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75427 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19163 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56479 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67556 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89368 |
168 |
AMS진단에 대하여 궁금합니다
![]() | 19005 |
167 | Three body collision process | 20562 |
166 | 플라즈마에서 전자가 에너지를 어느 부분에서.. | 17591 |
165 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24679 |
164 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20343 |
163 | 플라즈마의 정의 | 18002 |
162 | Ground에 대하여 | 38762 |
161 | 교재구입 | 20694 |
160 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134329 |
159 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21477 |
158 | 대기압 상태의 플라즈마 측정 | 19671 |
157 | Lissajous figure에 대하여.. | 20546 |
156 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23830 |
155 | 교육 기관 문의 | 17752 |
154 | Breakdown에 대해 | 21202 |
153 | 이온주입량에 대한 문의 | 20648 |
152 | Peak RF Voltage의 의미 | 22433 |
151 | electrode gap | 17861 |
150 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 94484 |
149 | 실생활에서 사용되는 플라즈마 | 18281 |