Sheath 전쉬스에 대한 간단한 질문
2019.10.26 22:26
안녕하십니까 교수님. 플라즈마를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.
다름이 아니라 전쉬스 부분에서 전자밀도와 이온 밀도가 같다고 할 수 있는 근거가 무엇입니까? 또한 전쉬스 공간의 길이는 디바이 길이보다 훨씬 커야하는데 전쉬스 공간의 길이의 제한범위가 있는지요?
cf)
플라즈마 기초부부넹서 EXB 표류 운동에서 전기장 대신 중력이 전기장 방향으로 작용한다면 전자와 이온의 표류운동은 어떻게 되는 궁금합니다.
항상 성심껏 답변해주셔서 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76543 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
203 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 999 |
202 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 982 |
201 | CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] | 974 |
200 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 967 |
199 | Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] | 967 |
198 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 961 |
197 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 959 |
196 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 955 |
195 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 952 |
194 | 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] | 951 |
193 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 949 |
192 | CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] | 948 |
191 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 940 |
190 | 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] | 934 |
189 | Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] | 926 |
188 | 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] | 911 |
187 | Plasma Generator 관련해서요. [1] | 905 |
186 | O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] | 878 |
185 | Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] | 868 |
184 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 860 |
플라즈마 형성에서 단계를 보면 이온화로 부터 이온과 전자들이 만들어집니다. 따라서 이온과 전자는 쌍으로 생성되고 소멸시에는 이 두전하의 결합과정을 거키게 됩니다. 하지만 전자들은 훨씬 큰 유동도 (mobility)를 가지고 거동하므로 절대 밀도는 같지 않은 준 중성상태 (quai-neutrality) 조건이 만족됩니다. 이를 참고하여 게시판에 올려진 '플라즈마 상태', '디바이 차폐 길이' 및 '쉬스'형성에 대한 키워드로 찾아 보시고 설명을 참고하면 이해에 도움이 될 것입니다.