ICP ICP TORCH의 냉각방법
2004.06.21 15:30
질문 ::
ICP TORCH에 관하여 문의를 드립니다.
ICP TORCH를 이용 유리와 같은 물질을 가열하는 장치를 연구하고 있는데 TORCH의 구조는 COIL과 QUARTZ관으로 구성되며 QUARTZ관은 내경50mm정도입니다. GAS는 Ar을 사용하고 있는데 문제는 발생된PLASMA가 COIL내에서 발생되므로 QUARTZ관까지 녹는 현상이 발생됩니다. 코일은 3 -4 TURN으로 하였는데 코일밖에서 PLASMA를 발생시킬 수 는 없는지요? 아니면 QUARTZ관이 가열되지 않는 방법이 있는지 알고 싶습니다.
답변 ::
말씀하신 장치에 대해서는 직접 보지 않아 개념적인 답변을 드릴 수 밖에 없을 것 같습니다.
1 . 일단 안테나 coil을 냉각수로 냉각하도록 하십시오.
2. 입력 개스의 흐름을 유리관 벽에서 와류가 생겨 유리관으로 전달되는 열을 가급적 차단하도록
개스흐름을 조절하십시오.
일반적으로 이상의 방법을 사용하고 있습니다.
도움이 되었기를 바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76683 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57159 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68679 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92199 |
187 | PM을 한번 하시죠 | 19726 |
186 | CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] | 20376 |
185 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22757 |
184 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19211 |
183 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19460 |
182 | 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] | 26463 |
181 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21513 |
180 | RF에 대하여... | 31997 |
179 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24171 |
178 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24982 |
177 | RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] | 18875 |
176 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20958 |
175 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22851 |
174 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22576 |
173 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21748 |
172 | self bias (rf 전압 강하) | 26701 |
171 | 궁금합니다 [1] | 16174 |
170 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31522 |
169 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16023 |
168 | AMS진단에 대하여 궁금합니다 | 19048 |