현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.

 

현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.

 

무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.

 

1. Source , Bia Power 하향

  → Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)

2. CF4 유량비 상향

  → O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다

     (But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)

3. 압력에 대한영향성?

  → 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..

4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.

 

이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.

 

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [99] 3632
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15313
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50569
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62980
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82013
48 라디컬의 재결합 방지 [1] 364
47 핵융합 질문 [1] 364
46 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 360
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 353
44 (PAP)plasma absorption probe관련 질문 [1] 351
43 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 349
» ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 346
41 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 346
40 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 346
39 glass에 air plasma 후 반응에 대해 질문이 있습니다. [1] 345
38 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 342
37 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 340
36 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 339
35 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 338
34 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 338
33 수중방전에 대해 질문있습니다. [1] 335
32 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 334
31 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 331
30 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 329
29 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 327

Boards


XE Login