Plasma in general Co-relation between RF Forward power and Vpp
2022.04.27 17:35
Hello,
I am working on a ALD (Atomic layer deposition) product wherein we are processing multiple wafers in the single reactor.
When we supply RF power to one of the reactor (i.e. REACTOR 1), the other reactor (REACTOR 2) beside reactor 1 is showing high Vpp value. We are not supplying RF power to reactor 2. (Please note reactor 1 & reactor 2 share the gas flow volume and are not fully isolated)
Why would this be happening ?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76712 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20168 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68688 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92256 |
| 148 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 708 |
| 147 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 707 |
| 146 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 703 |
| 145 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 698 |
| 144 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 696 |
| 143 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 695 |
| 142 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 694 |
| 141 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 687 |
| 140 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 679 |
| 139 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 679 |
| 138 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 674 |
| 137 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 669 |
| 136 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 664 |
| 135 | Polymer Temp Etch [1] | 659 |
| 134 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 657 |
| 133 |
Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다.
[1]  | 636 |
| 132 | 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] | 634 |
| 131 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 633 |
| 130 | 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] | 624 |
| 129 | 플라즈마 기본 사양 문의 [1] | 615 |
It seems to be an RF ground issue, and check it.