플라즈마 쉬스
플라즈마에서 생기는 쉬스(외장)이 전위차는 플라즈마 경계에서 생깁니다. 따라서 질문하신 내용, 즉 식각 플라즈마 내에서 wafer
stage 위의 wafer가 직접 플라즈마와 만나고 있음으로 이때 쉬스 전위는 wafer와 플라즈마 사이에 형성되는 것입니다. 물론, 만일
wafer를 제거하게 되면 당연히 stage표면과 플라즈마가 만나니 이 두 경계면에서 쉬스가 형성되겠지요. 아울러 stage위에 wafer와
같은 부도체 물체가 놓여 있는 경우 wafer표면에는 self bias에 의해서 전위가 낮아지게 됩니다. (도체에서는 이 같은 현상이 생
기지 않습니다.) 따라서 플라즈마는 wafer 표면의 전위를 자신의 경계면 전위로 생각하고 그 겨예 영역에서 쉬스가 형성됩니다.
질문자의 경우와 같은 식각 플라즈마에서 wafer bias를 인가하여 etching을 하는 경우 이 두가지, self bias와 sheath를 함께 생각
해야 합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
142 | Noise 문제, 탐침에 의한 식각 플라즈마의.. | 19681 |
141 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19710 |
140 | 대기압 상태의 플라즈마 측정 | 19721 |
139 | PM을 한번 하시죠 | 19724 |
138 | 상압플라즈마에서 온도와의 관계를 알고 싶습니다. | 19751 |
137 | 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] | 19768 |
136 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19830 |
135 | 플라즈마 진동수와 전자온도 | 19998 |
134 | 석영이 사용되는 이유? [1] | 19999 |
133 | CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유 | 20003 |
132 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20194 |
131 | DBD플라즈마와 플라즈마 impedance | 20202 |
130 | 플라즈마 matching | 20218 |
129 | 형광등과 플라즈마 | 20239 |
128 | 안녕하세요. GS플라텍 지성훈입니다. [1] | 20257 |
127 | 상압 플라즈마 방전에 관한 문의 [1] | 20308 |
126 | CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] | 20357 |
125 | Langmuir probe tip 재료 | 20400 |
124 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20411 |