Others 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
2010.05.16 02:51
재미있는 Data 이군요.
저도 일전에 한번 경험해 보았습니다.
더 재미 있는 것은, 공정상에는 DR(뎁레잇)에 영향이 없다는 것이죠. Unifomity만 좀 떨어지는 것 이외에는...
Refpwr의 변함에 따라, Photo Sensor의 Lightness에 증감이 있는 것으로 보아, Plasma의 Electron Density는 변동에 따른 것이라 유추만 하고 있습니다. 정확한 것은 PSD 나 L/Probe 같은 Tool로 봐야 알 수 있을 것 같더군요. VI나 OES로는 별 연관성이 찾기 어려웠습니다.
해당 부분의 이유를 찾기 어려운 것은 Matcher의 Cap이 Ref의 값을 Input으로 받아서, 해당 부분을 상쇄 시키는 부분도 있기 때문에, 이 부분을 고려 했을 때의 Plasma 변화를 함께 고려해야 하기 때문입니다. VI로 판단하기 어려운 부분도 이 부분 때문에....Fuzzy Algorithm을 역으로 추정해야지 실 값이 보인다는....
말이 길어졌는데, 저의 경험만을 가지고 조금 말씀 드리면,
1. DR이나 Uni와 Ref값과 비교 하는 것은 조금 어려움,
2. Part Damage와 연관은 있일 수 있으나, Ref때문에 생겼다고 생각하기는 어려움, 대신, Ref가 높을 때, Part의 Damage가 크다는 것은 유추 가능하다고 판단됨.
3. Ref가 튀는 부분은, Arc에 의하여 다량의 electron이 Matcher로 유입된 것으로 판단됨 (Vdc 와 연동해 보면 더 정확할 듯...)
4. Ref값에 의한 Part 손상은, Heater 보다는, Electrod 혹은 Shower Header 부분과 연동하는 것이 더 나아 보임.
이상입니다.
미약하나마 경험 공유 합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76540 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91696 |
143 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 692 |
142 | 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] | 689 |
141 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 687 |
140 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 677 |
139 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 676 |
138 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 674 |
137 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 673 |
136 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 670 |
135 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 661 |
134 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 650 |
133 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 650 |
132 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 650 |
131 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 650 |
130 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 639 |
129 | Polymer Temp Etch [1] | 635 |
128 | Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] | 633 |
127 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 629 |
126 | 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] | 617 |
125 | 플라즈마 기본 사양 문의 [1] | 614 |
124 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 601 |