안녕하세요. CCP TYPE의 Chamber에 관한 문의점이 있습니다.

 

CCP 방식의 Chamber에서 HF를 이용하여 Plasma를 생성할여 Deposition을 진행하는 공정의 경우 Wafer가 안착되는 Plate의 온도가 Shower Head 보다 일반적으로 높은 조건을 사용하게 됩니다.

이때 HF의 주파수를 기존의 2배로 변경하게되면 Plasma의 밀도가 증가할 것으로 생각되며 다양한 변화가 발생할 것으로 생각됩니다.

그럼 온도 측면에서 Shower Head에 열전달 변화가 발생할까요?

저압에서 진행하는 공정 특성상 Plasma 온도변화가 Shower Head에 미치는 영향은 미비할것으로 생각되는데 주파수 변화와 Plasma 온도와 관련된 논문을 찾을 수 없어서 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79537
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21325
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58123
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69687
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94579
164 Arcing과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [Self bias와 DC glow 방전] [1] 762
163 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [질소 플라즈마] [1] 759
162 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 757
161 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 754
160 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [Self bias] [1] 754
159 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide] [2] 748
» 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 738
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 737
156 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 736
155 RPC ClEAN시 THD 발생 [RF shield와 ground의 강화] [1] 727
154 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 723
153 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [데이터+플라즈마광학 모델] [1] 710
152 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 698
151 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 697
150 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [플라즈마 밀도 및 전위 제어] [1] 696
149 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [Sheath 전기장 및 instability] [1] file 690
148 전공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [Ion beam source] [1] file 686
147 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [플라즈마 생성, Plasma collision reaction] [1] 681
146 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 671
145 프리쉬스에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion 및 collisionless sheath] [1] 668

Boards


XE Login