질문 ::
일반적으로 CCP의 Vp(Plasma potential)는 수백에서 1000V가량 되는걸로 알고 있습니다.  ICP의 Vp는 전반적으로 낮은 값을 갖는데요 저희 장비는 보통 20-30V정도 밖에 되지 않습니다. ICP의 장점중 하나가 바로 낮은 Vp값을 갖는다는것인데요. 이처럼 CCP의 Vp가 ICP에 비해 높은 이유가 뭔지 궁금합니다. 참고로 전 CCP의 간단한 구조와 원리밖에 모르고 있습니다. 저희 장비가 TCP인 관계로...
그럼 염치 불구하고 연이은 질문에 좋은 답변 기대하겠습니다.
항상 몸 건강하시길 빌겠습니다.

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ICP/CCP에서의 플라즈마 발생에 관한 설명 자료가 복원될 것 입니다. 이를 참고하시면 될 것입니다.
그때까지 다음 사항을 잘 고려해 보기 바랍니다. CCP의 전극은 플라즈마와 직접 만나고 있습니다.
혹은 두 전극 사이에 형성되는 전기장이 플라즈마를 만들고 있습니다. ICP의 경우는 안테나가
플라즈마와 직접 만나지 않고, 유도 전기장으로 플라즈마가 형성됩니다. 또한 플라즈마가 만들어지기
위해서는 breakdown voltage를 줄 수 있는 전기장이 어떤 방법으로든 형성되어야 할 것입니다. 이로
인해서 CCP는 ICP에 비해서 높은 공간 전위를 갖게 됩니다. 하지만 언급한 정도의 수백에서 수천 Volt의
플라즈마 전위를 갖지는 않습니다. ICP보다 제대로 만들어진 CCP 플라즈마의 경우는 ICP에 비해서 약간
높을 뿐입니다.
위 사항을 잘 참고하여 현상을 이해해 보기 바랍니다.