박막 형성

ICP장치에 관해서는 참고서적을 이용하시고 sputter(본란에서 설명을 하였습니다. 참고하기 바랍니다.)를 이용하여 상온 target에
박막을 형성시키는 것은 가능합니다. 입히고자 하는 박막이나 시편의 성질에 따라서 시편의 온도를 조절해야 함은 당연할 것 입니다.
적절한 온도에서 박막이 잘 성장하게 되며 이에 대해서도 이미 설명드린 바가 있습니다. 한가지 더 고려해야 할 것은 금속 박막
성장을 위한 방법으로 MOCVD방법이 있으니 이를 공부해 보는 것도 좋은 방법입니다. MOCVD는 sputter로 가능하지 않은 금속 물질등
의 박막 성장에 사용하는 방법입니다.

ICP에 관한 자료는 일단 다음 교재를 참고하기 바랍니다.
1. M.A. Lieberman & A.J.Lichtenberg "Principles of plasma discharges and material processing (1994,Jhon Wiley & Sons.Inc)
2. J.R.Roth, "Industrial Plasma Engineering : Vol.1 Principles" (1995, Institute of Physics Publishing)