질문 ::

안녕하십니까?
반도체 에칭용 ICP 소스에서
소스파워를 최대 4000 와트 바이어스를 2500와트 정도 걸면서 테스트를
진행하고 있습니다.
진행하던중
ICP Type의 플라즈마 소스에서 전력손실에 대해 생각을 하고 있습니다.
간접적 증거로 소스파워를 아무리 올려도 (to 4kWatts) 에칭특성에
별영향을 주지 않는 것같습니다.
그래서 생각해본것이 어느 시점을 지나면 전력이 외부로 새어나가
플라즈마를 형성하는 데 그리 영향을 주지 못하는 것 같습니다.
생각해본 leak소스로는
1) 냉각수
2) 체임버 월(대부분 아노다이징)
3) ESC 아래의 공정이 진행되지 않는 공간
그러나 무엇하나 명쾌한 결론은 아직 없습니다.


답변 ::

상황이 복합적으로 작용하고 있을 가능성이 있습니다.
일단 플라즈마 밀도를 측정할 수 있으면 좋을 것입니다.
즉 입력 전력 대비 플라즈마 밀도와 플라즈마 온도에 대한 자료를 얻을 수 있으면 문제를 좀더 이해하면서
풀 수 있을 것 같습니다.  
예상하건대, 어느 정도의 입력 전력의 조건에서는 플라즈마 밀도가 상승하게 될 것 입니다.
하지만 일정 값 이상으로 무한히 밀도가 상승할 수는 없으며 그 이후에는 오히려 플라즈마의 온도 상승에 입력
에너지가 사용될 가능성도 있습니다.

물론 냉각수로는 증류수를 사용하는 것이 좋을 것이고
예상하신 2-3번의 가능성에 대해서는 저희도 경험이 없습니다.

좀더 자료를 얻게 되시면 다시 의견을 주시기 바랍니다.
감사합니다.