안녕하세요.

반도체 회사 설비 엔지니어로 관련 200mm conductor etcher 에서 ceramic esc 를 사용하고 있습니다.

해당 esc 를 운용하면서 공정 진행중 b-he flow error 증가하면서 error 가 발생하고 빈도가 잦아지면 교체를 하게 되는데

해당 esc 분리하여 외부 검증 요청시 표면에 polymer가 증착되어 chucking 을 떨어뜨린다고 합니다.

 

국내 major 회사에서도 동일한 문제가 있어서 ISD란 공정을 진행하여 polymer 제거를 하여 he error 를 개선한 이력이 있다고 하여

ISD 공정이 무엇인지..해당 공정 parameter 가 어떤것이지...가능하다면 recipe 를 어떻게 구성해야 하는지에 대한

referance 를 문의 드립니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76673
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20149
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57149
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92171
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 441
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 353
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 672
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 574
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 384
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 146
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 388
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 224
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 668
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 767
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1357
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 272
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 428
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
712 corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 204
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 597
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 433
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 395

Boards


XE Login