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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59719
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78 ICP와 CCP의 차이 [3] 10184
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1367
76 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1796
75 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2562
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73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 7782
72 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 4602
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 427
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1113
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3253
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5448
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2333
66 Ar plasma power/time [1] 1084
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 8642
64 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 8345
63 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2448
62 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3040
61 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 2666
60 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2252
59 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2120

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