안녕하십니까? 김길호 입니다.

모노실란 분해 메커니즘을 문의하고자 합니다.

 

질문 1)

SiH4-Ar-H2 시스템에서

저온 플라즈마 시스템에서의 SiH4 분해 메커니즘 및

고온 플라즈마 시스템에서 SiH4 분해 메커니즘의 차이가 있을 수 있는지 궁금합니다..

 

제가 조사한 문헌에 의하면 SiH4 분자들이 플라즈마 영역에서

다양한 이온상태 (SiH3+, SiH+, Si+, SiH2+)로 존재하는 것으로 알고 있습니다.

위와 같은 이온 상태로 해리는 저온 플라즈마에서만 발생하고,

고온플라즈마 시스템 에서는 (SiH4àSi+2H2)로 실리콘 원자와 수소 분자로

해리될 수 있는지 궁금합니다.

 

질문 2) 만약 고온 플라즈마에서 SiH4 분자들이 실리콘 원자와 수소 분자들로 해리된다면

       (SiH4àSi+2H2), 실리콘 원자들이 고온 플라즈마 영역에서 Vapor 상태로 존재한 후

       온도가 낮아지면 액상(liquid) 또는 고상(Solid)으로 상 전이가 일어날 수 있는지

       궁금합니다.

 

질문 3) SiH4 분자들이 플라즈마 영역에서 이온상(SiH3+, SiH+, Si+, SiH2+)으로 존재한다면,

       플라즈마 영역을 지나면 위 이온들은 이온상을 계속 유지하는지 아니면 전자와 결합하여

        분자로 존재하는지 궁금합니다.
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