안녕하십니까? 김길호 입니다.

모노실란 분해 메커니즘을 문의하고자 합니다.

 

질문 1)

SiH4-Ar-H2 시스템에서

저온 플라즈마 시스템에서의 SiH4 분해 메커니즘 및

고온 플라즈마 시스템에서 SiH4 분해 메커니즘의 차이가 있을 수 있는지 궁금합니다..

 

제가 조사한 문헌에 의하면 SiH4 분자들이 플라즈마 영역에서

다양한 이온상태 (SiH3+, SiH+, Si+, SiH2+)로 존재하는 것으로 알고 있습니다.

위와 같은 이온 상태로 해리는 저온 플라즈마에서만 발생하고,

고온플라즈마 시스템 에서는 (SiH4àSi+2H2)로 실리콘 원자와 수소 분자로

해리될 수 있는지 궁금합니다.

 

질문 2) 만약 고온 플라즈마에서 SiH4 분자들이 실리콘 원자와 수소 분자들로 해리된다면

       (SiH4àSi+2H2), 실리콘 원자들이 고온 플라즈마 영역에서 Vapor 상태로 존재한 후

       온도가 낮아지면 액상(liquid) 또는 고상(Solid)으로 상 전이가 일어날 수 있는지

       궁금합니다.

 

질문 3) SiH4 분자들이 플라즈마 영역에서 이온상(SiH3+, SiH+, Si+, SiH2+)으로 존재한다면,

       플라즈마 영역을 지나면 위 이온들은 이온상을 계속 유지하는지 아니면 전자와 결합하여

        분자로 존재하는지 궁금합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2329
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12801
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49615
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61099
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 79285
83 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 313
82 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 432
81 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3543
80 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1832
79 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 706
78 ICP와 CCP의 차이 [3] 10421
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1394
76 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1914
75 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2661
74 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5530
73 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 7843
72 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 4765
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 446
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1166
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3442
» 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5536
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2504
66 Ar plasma power/time [1] 1127
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 10619
64 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 8566

Boards


XE Login