Etch Plasma Etch시 Wafer Edge 영향

2017.05.15 22:58

최원우 조회 수:3491

안녕하십니까 현재 Plasma Etch 업계에 종사하고있는 사원 입니다.

Plasma Etch시 Etch Rate가 Wafer Edge(주로 140mm이상)에 굉장히 민감한데

이 현상에 대한 해석을 어떻게 해야 좋을 지 모르겠습니다.

민감하다는 표현은 조건 튜닝시 Center나 Edge나 증가하거나 감소하는 현상은 동일하나

ER Map 전체를 봤을 때 Edge에 의해서 U자형(Edge Fast)이 되거나 그 반대 (Edge Low)가 되는 현상이 나타납니다.

Chamber Wall에 의한 현상으로 보기에는 Wafer 극 Edge 쪽만 해당되기에 아닐 것으로 예상합니다.

이 현상에 대한 해석이나 참고문헌등 도움이 될만한 자료를 알려주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
122 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159
121 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
120 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
119 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1268
118 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1287
117 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1293
116 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1352
115 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1365
114 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1399
113 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1417
112 Ar plasma power/time [1] 1429
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1472
110 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1637
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1698
108 터보펌프 에러관련 [1] 1738
107 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1771
106 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1786
105 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1829
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1879
103 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1899

Boards


XE Login