안녕하세요.

CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.

다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.

제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..

 

 1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가

 2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가

 

항상 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5818
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53122
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64498
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85112
94 etching에 관한 질문입니다. [1] 1669
93 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1676
92 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1943
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1963
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1976
89 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2003
88 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2189
87 Plasma etcher particle 원인 [1] 2241
86 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2244
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2448
84 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2453
83 PR wafer seasoning [1] 2480
82 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2539
81 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2751
80 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2771
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2842
78 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2963
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3036
76 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3180
75 플라즈마 색 관찰 [1] 3264

Boards


XE Login