Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2360

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20169
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68693
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92269
122 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1177
121 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1182
120 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1241
119 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1293
118 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1307
117 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1369
116 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
115 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1385
114 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1407
113 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1424
112 Ar plasma power/time [1] 1436
111 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1494
110 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1659
109 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1727
108 터보펌프 에러관련 [1] 1755
107 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1793
106 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1844
105 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1863
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1932
103 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1980

Boards


XE Login