SiO2 를 RPSC를 이용하여 NF3로 Cleaning을 진행하는 일을 하고 있습니다.

NF3 단독으로 사용하는 것보다 O2를 혼합시 더 잘되는것으로 논문에서 보고 하고 있는데요,

그 원리 및 Mechanism이 궁금합니다.

학자님들의 고견 부탁 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5614
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16912
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51351
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64223
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84302
92 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 1686
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1808
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1838
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1886
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1958
87 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2125
86 Plasma etcher particle 원인 [1] 2158
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2393
84 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2443
83 PR wafer seasoning [1] 2449
82 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2481
81 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2669
80 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2674
79 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2684
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2897
77 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2907
76 플라즈마 색 관찰 [1] 3094
75 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3104
74 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3272
73 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3512

Boards


XE Login