질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:91697 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76541
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20077
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 382
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 141
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 369
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 222
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 721
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1292
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 263
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 405
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
712 corona model에 대한 질문입니다. [1] 168
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 199
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 572
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 420
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 304
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 967
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 572

Boards


XE Login