안녕하세요. 플라즈마 연구실에서 식각 공정을 연구중인 대학원생입니다.

 

CF4 등 flourine 계열의 식각 가스를 사용하는 ICP 챔버를 이용해 관련 연구를 진행하고 있습니다.

연구 특성상 식각 가스를 비교적 장시간 사용 하고 있는데요, (ex) 실험 1 run당 continous하게 flourine plasma 1 시간 방전) 그러다보니 

실험을 진행함에 따라 안테나 쪽 dielectric, edge ring, chamber wall 등 이 점점 까맣게 바뀌고 있습니다.

 

결정적인 문제는 Ar이나 N2 plasma 방전 실험에서도 시료 표면에서 flourine 성분이 측정되어, 플라즈마 방전 시, 챔버 parts 표면에서 flourine이 나오는 것으로 추정하고 있습니다. 실험간 O2 plasma를 통해 carbon에 대한 conditioning은 진행하고 있지만 잔류 flourine도 제거하는 방법이 있을 지 여쭙고 싶습니다.

없다면 챔버 parts에 대한 보수를 진행하려고 하는데, liner를 사용하지 않는 챔버라 wall에 대한 보수는 현실적으로 어려운 상황워서 conditioning이 간절하네요..

 

H2 plasma를 사용하여 Si wafer의 flourine을 제거하는 논문을 일부 보긴 했습니다만, 챔버 내부 parts에 대해서도 유효한 방법일 지는 모르겠습니다.

 

답변 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76542
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 382
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 141
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 370
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 222
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 721
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1292
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 263
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 405
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353
712 corona model에 대한 질문입니다. [1] 168
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 199
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 572
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 420
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 391
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 304
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 967
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 572

Boards


XE Login