Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.

플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.

플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데

질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요? 

질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48559
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 49616
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 54977
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 422
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 628
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 252
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 309
480 wafer bias [1] 286
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 560
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 187
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 353
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 328
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 454
474 PEALD관련 질문 [1] 379
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 518
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 665
471 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 490
470 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 258
469 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 686
468 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 144
467 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 584
466 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 418
465 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 357

Boards


XE Login