안녕하세요. 저는 대학생으로 학교 과제 주제로 저온플라즈마 장치를 만드려고 합니다.

저온플라즈마의 발생은 시중에 나와있는 피부치료기 장치나 다른 장치에서 흔히 쓰이는 DBD 방식을 쓰려고 하는데

DBD 방식을 쓰려면 대부분 최소 방전 개시 전압이 적어도 4kv ~ 20kv 정도 필요하다고 하는데

저희는 그 최소 방전 개시전압을 더 줄이거나 다른 큰 장치가 없어도 그 정도 전압을 인가 할 수 있는 방법을 찾고 싶습니다만

아직 지식이 부족하고 전공 이해도가 떨어지는 관계로 방법을 찾지 못하겠네요

시중에 나와있는 플라즈마를 이용한 피부치료기 장치를 보면 그 정도 작은 장치에서도 플라즈마를 발생시킬 수 있는 방법이

아예 없는 것은 아닌거 같은데 기업에다 직접 물어볼 수 도 없기에 지푸라기라도 잡는 심정으로 여기에 글을 올립니다...

부디 조언부탁드립니다 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48587
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 49804
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 55067
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 502
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 779
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 1230
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 455
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 258
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 3262
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 362
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 441
483 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 664
482 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 270
481 교수님 질문이 있습니다. [1] 318
480 wafer bias [1] 301
479 Group Delay 문의드립니다. [1] 623
478 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [1] 195
477 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 369
476 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 340
475 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 484
474 PEALD관련 질문 [1] 422
473 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] 541
472 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 703

Boards


XE Login