Sheath 프리쉬스에 관한 질문입니다.

2019.03.07 20:36

JIVELY 조회 수:412

랑뮤어 프로브에 관한 논문을 읽다가 궁금하게 생겨 질문 드립니다. 

이온은 프리쉬스 영역에서 0.5(kTe/e)에 해당하는 전압강하를 통하여 bohm속도를 갖게되어 음극쪽으로 끌려가는 것으로 알고 있습니다.

논문에서는 음극에서 수집되는 전류밀도는 일정하므로 이온의 밀도는 감소하며 만약 이 이온의 밀도감소 속도가 전자의 밀도감소 속도보다 빠르게 될 경우 전자가 사라지기 전에 이온밀도가 감소하여 결국 순 전류가 음의 값을 가져 이온의 속도가 증가한다고 합니다. 따라서 이를 해결하려면 쉬스의 양의 공간 전하를 유지하기 위해 이온은 bohm속도에 해당하는 속도로 쉬스로 들어가야 한다고 나와있습니다. 

이 부분이 이해가 되질 않습니다.  프리 쉬스에 의해  bohm속도에 도달한 이온들은 쉬스영역으로 더 잘 끌려간다는 말 아닌가요? 이렇게 되면 이온밀도는 더 감소하게되는것 아닌지... 쉬스의 양의 공간전하 유지를 위해 이온밀도 감소 속도를 낮춰야 한다면서 한편으로는 쉬스영역으로 더 잘 끌려갈 수 있게 bohm 속도를 가져야 한다니... 뭔가 역설적인것 같습니다..

또 프리 쉬스가 생기는 이유에 대해서도 궁금합니다.

또 다른 한 논문에서는 "이온-중성종 간의 약한 충돌이 지배적으로 일어나는 전통적 의미의 프리쉬스 영역이 존재함을 의미" 라고 적혀있는것을 보았습니다.

이온-중성종간의 충돌이 프리쉬스의 형성과 어떤 관련이 있나요?? 아니면 그냥 프리쉬스영역에서 이온-중성종간의 충돌이 일어난다는 뜻인가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [101] 3645
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15335
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50574
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62987
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82070
609 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 402
608 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 405
607 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 406
606 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 408
605 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 411
» 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 412
603 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [1] file 413
602 anode sheath 질문드립니다. [1] 414
601 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 417
600 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 419
599 활성이온 측정 방법 [1] 420
598 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 422
597 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 425
596 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 426
595 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 427
594 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 432
593 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 433
592 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 433
591 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 439
590 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 441

Boards


XE Login