Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1495

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

, , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68695
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92271
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 329
727 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 448
726 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 356
725 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 680
724 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [1] 579
723 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 386
722 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
721 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 146
720 플라즈마 공정 후, 친수성으로 변한 표면의 친수성 제거 [1] 392
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 228
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 669
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 783
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1369
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 272
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 436
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354
712 corona model에 대한 질문입니다. [1] 169
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 206
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 604
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 435
쓰기
태그

Boards

XE Login