Plasma Source Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문)
2019.06.26 10:25
안녕하십니까.. 현재 반도체업계 종사중이며 Plasma 관련 일을 하고 있습니다.
다름이 아니오라 궁금한 점이 있어 이렇게 글을 올립니다.
Plasma에 의한 Gas 분해 및 치환 시 하기와 같은 예로
Zr[N(CH3)(C2H5)]4 ---->Zr + N + C + H (O2 Add)
-- Zr + O2 --->ZrO2
-- C + O2 -->CO2
-- N + N --> N2
-- 4H + O2 -->2H2O
반응하여 생성된다고 가정하였을 때
반도체 공정중에서 Plasma를 발생시켜 Source Gas 및 Add Gas를 반응시켰을 시
1. 생성되는 Powder 종류
2. 생성되는 Gas 종류
3. 항목 1~2에서 우선순위로 생성되는 Gas 및 Powder 종류
위 내용에 관련하여 조언 및 교육을 받고자 하오니 답변 부탁드리겠습니다.
이상입니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76692 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57159 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68680 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92218 |
727 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24320 |
726 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24304 |
725 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24171 |
724 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24121 |
723 | self Bias voltage | 24027 |
722 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23970 |
721 | 플라즈마 쉬스 | 23933 |
720 | Arcing | 23791 |
719 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23756 |
718 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23436 |
717 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23378 |
716 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23329 |
715 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23260 |
714 | DC glow discharge | 23243 |
713 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23120 |
712 | No. of antenna coil turns for ICP | 23092 |
711 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23056 |
710 | CCP/ICP , E/H mode | 22970 |
709 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22940 |
708 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22851 |
powder 문제는 성균관대학교 기계공학과 김태성교수님 혹은 교통대학교 김성룡 교수님께 문의드려 보시면 도움을 받을 수 있을 것 같습니다.