Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:557

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48630
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 50107
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 55153
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 360
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 1178
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 471
500 공정플라즈마 [1] 425
499 임피던스 매칭회로 [1] file 1265
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 204
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 462
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 304
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 773
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 415
493 질문있습니다. [1] 963
492 chamber impedance [1] 1259
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 557
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 811
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 1290
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 474
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 269
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 3415
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 420
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 463

Boards


XE Login